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Samsung 990 Pro Disco Duro Solido SSD 2TB PCIe 4.0 NVMe M.2

Descubre el potente rendimiento con PCIe 4.0 y experimenta velocidades de vértigo para vencer al contrincante. La regulación térmica del controlador Samsung ofrece una alta eficiencia energética manteniendo el máximo rendimiento y altas velocidades. Características: -Potente SSD Interno PCIe 4.0 NVMeTM para tareas exigentes como el procesamiento de vídeo en 4K y gráficos en 3D, así como para juegos de alta exigencia. -Velocidad de vértigo: velocidades de lectura/escritura de hasta 7450/6900 MB/s. -Alta fiabilidad gracias a la tecnología Heat Spreader y Dynamic Thermal Guard del SSD para proteger frente al sobrecalentamiento y hasta 1.200 TBW -El software gratuito Samsung Magician optimiza el rendimiento y siempre mantiene la unidad al día con actualizaciones.
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169,53 € (impuestos inc.)
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Estado
Nuevo
Referencia:
MZ-V9P2T0BW
Marca:
Ean13:
8806094215038
Ref. fabricante:
MZ-V9P2T0BW
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Descripción
Descubre el potente rendimiento con PCIe 4.0 y experimenta velocidades de vértigo para vencer al contrincante. La regulación térmica del controlador Samsung ofrece una alta eficiencia energética manteniendo el máximo rendimiento y altas velocidades.
Características:
-Potente SSD Interno PCIe 4.0 NVMeTM para tareas exigentes como el procesamiento de vídeo en 4K y gráficos en 3D, así como para juegos de alta exigencia.
-Velocidad de vértigo: velocidades de lectura/escritura de hasta 7450/6900 MB/s.
-Alta fiabilidad gracias a la tecnología Heat Spreader y Dynamic Thermal Guard del SSD para proteger frente al sobrecalentamiento y hasta 1.200 TBW
-El software gratuito Samsung Magician optimiza el rendimiento y siempre mantiene la unidad al día con actualizaciones.
Especificaciones:
Características generales:
-Aplicación: Cliente PCs, Videoconsolas
-Capacidad: 2,000 GB (1 GB = 1 mil millones de bytes por IDEMA) * La capacidad utilizable real puede ser menor (debido al formateo, partición, sistema operativo, aplicaciones u otros)
-Formato: M.2 (2280)
-Interfaz: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
-Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND 3-bit MLC
-Controlador: Controlador interno de Samsung
-Memoria caché: Samsung 2 GB Low Power DDR4 SDRAM
Características especiales:
-Soporte TRIM: Soportado
-Soporte S.M.A.R.T: Soportado
-Algoritmo de recolección automática de basura GC (recolección de basura)
-Encriptación AES 256-bit Encryption (Clase 0)TCG/Opal IEEE1667 (Unidad encriptada)
-WWN: No compatible
-Soporte Modo Suspensión en dispositivo: Sí
Rendimiento:
-Lectura secuencial: Hasta 7450 MB/s * El rendimiento puede variar según el hardware y la configuración del sistema
-Escritura secuencial: Hasta 6900 MB/s * El rendimiento puede variar según el hardware y la configuración del sistema
-Lectura aleatoria (4KB, QD32): Hasta 1 400 000 IOPS * El rendimiento puede variar según el hardware y la configuración del sistema
-Escritura aleatoria (4KB, QD32): Hasta 1 550 000 IOPS * El rendimiento puede variar según el hardware y la configuración del sistema
-Lectura aleatoria (4KB, QD1): Hasta 22 000 IOPS * El rendimiento puede variar según el hardware y la configuración del sistema
-Escritura aleatoria (4KB, QD1): Hasta 80 000 IOPS * El rendimiento puede variar según el hardware y la configuración del sistema
Entorno:
-Consumo energético medio: *Promedio: 5,5 W*Máximo: 8,5 W (modo de ráfaga)* El consumo de energía real puede variar según el hardware y la configuración del sistema
-Consumo energético (Idle): Máx. 55 mW * El consumo de energía real puede variar según el hardware y la configuración del sistema
-Voltaje soportado: 3,3 V ± 5 % Voltaje admisible
-Durabilidad (MTBF): 1,5 millones de horas Confiabilidad (MTBF)
-Temperatura de funcionamiento: 0 - 70º
-Golpes: 1.500 G y 0,5 ms (medio seno)
Dimensiones y peso:
-Dimensiones: 80 x 22 x 2.3 mm
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Detalles del producto
MZ-V9P2T0BW

Referencias específicas

ean13
8806094215038
MPN
MZ-V9P2T0BW
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